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球化退火

只应用于钢的一种退火方法。将钢加热到稍低于或稍高于Ac1的温度或者使温度在A1上下周期变化，然后缓冷下来。5~3小时，氨分解率为35~70%，工件表层可获得化学稳定性高的化合物层，防止工件受湿空气、过热蒸汽、气体燃烧产物等的腐蚀。目的在于使珠光体内的片状渗碳体以及先共析渗碳体都变为球粒状，均匀分布于铁素体基体中(这种***称为球化珠光体)。具有这种***的中碳钢和高碳钢硬度低、被切削性、冷形变能力

青岛万利鑫热处理有限公司是一家***从事金属热处理加工的企业，公司拥有一整套完整、严格的热处理加工、质量检测流程。

半导体芯片退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以***晶体的结构和消除缺陷。你的问题问的很好，很多开模具的都自以为是，跟着感觉走，这是不对的。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。

在使用H13钢模具时,为了防止H13钢模具发生失效的现象,很多厂家会对H13钢模具进行热处理工艺,主要方法有:锻造、退火、淬火和回火几大工艺,其具体步骤讲解如下:

锻造:先缓慢加热到750℃,在快速加热到1120-1150℃的锻造温度,减少氧化和脱碳;始锻温度为1080-1120℃,始锻温度≥850℃,锻后缓冷,并及时退火。另外要求锻造比大于4。

退火:H13退火用TTT曲线位于淬火用TTT曲线的左侧,过冷奥氏体的稳定性降低,有利于退火软化处理。通过加热过程中发生的珠光体（或者还有先共析的铁素体或渗碳体）转变为奥氏体（相变重结晶）以及冷却过程中发生的与此相反的第二回相变重结晶，形成晶粒较细、片层较厚、***均匀的珠光体(或者还有先共析铁素体或渗碳体)。等温退火加热到800℃,保温2h,降温至750℃等温2-4h,炉冷到500℃出炉空冷,硬度为192-229HBS,锻后必须立即进行球化退火。

淬火和回火:淬火次预热,1040±10℃淬火,540±10℃回火,获得回火马氏体加碳化物***,硬度HR***6~50,可满足热作模具钢的性能要求。

通过改进H13钢的冶炼方法和合理的锻造工艺来保证模具用材的要求,适宜的热处理工艺确保H13钢具有良好的综合力学性能,正确的使用操作方法更有利于提高其使用寿命。